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UnitedSiC公司成立于 1999 年,主要为高效功率转换应用部署SiC晶体管和二极管解决方案,UnitedSiC FET 在全球快速增长的市场中得到广泛认可,特别是在高压 DC-DC 电源转换拓扑以及 AC-DC 应用。在快速增长的 EV 电机驱动市场中,UnitedSiC 业界最高性能、最低 R(DS)-on FET,额定电压为 650 V 和 1200 V,正迅速成为 EV 电源设计人员的首选产品。2021年11月3日,Qorvo宣布收购UnitedSiC,其中UnitedSiC将成为Qorvo的基础设施和国防产品(IDP)产品业务的一部分。UnitedSiC的技术与Qorvo的互补的可编程电源管理产品和世界一流的供应链的能力,将使UnitedSiC 能够在最先进的应用中提供卓越的电源效率水平...

UnitedSiC公司概况:
  • UnitedSiC 开发创新的碳化硅 FET 和二极管功率半导体器件,2021年被Qorvo收购。
  • UnitedSiC高性能 SiC FET 提供一流的开关速度、更低的开关损耗、更高的效率、标准通孔和表面贴装封装,具有出色的成本效益。
  • UnitedSiC高性能SiC常开JFET晶体管,从650V到1700V,具有低至25mohm的超低导通电阻(RDS(on))。
  • UJ3D肖特基二极管是UnitedSiC的第三代高性能SiC合并PiN肖特基(MPS)二极管。
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